Diode petit signal en boîtier DO-35 adaptée aux applications générales. Diodes de commutation rapide Silicone, Broches axiales Verre hermétiquement scellé avec goujon de chaque côté de la puce de verre passivée Fuite extrêmement faible et une très grande fiabilité Spécifications techniques Tension inverse crête répétitive 100V Tension directe max 1V Courant de surtension vers l'avant 2A Nbre de broches 2Broche(s) Courant direct moyen 150mA Temps de redressement en inverse 4ns Température d'utilisation Max. 200°C Type de montage de diode Traversant